Mempercepat pengembangan dan peluncuran solusi daya gallium nitrida canggih; memanfaatkan sepenuhnya keahlian pasar otomotif ST dan teknologi manufaktur terkemuka dunia TSMC; meningkatkan efisiensi energi dari produk celah pita lebar, dan membuat aplikasi konversi daya lebih hemat energi
Pada 24 Februari, STMicroelectronics dan TSMC bekerja bersama untuk mempercepat pengembangan teknologi proses gallium nitride (GaN) dan penyediaan perangkat GaN yang terpisah dan terintegrasi. Melalui kolaborasi ini, produk-produk strategis strategis gallium nitride ST akan menggunakan proses manufaktur GaN terkemuka di industri TSMC.
镓 Gallium nitride (GaN) adalah bahan semikonduktor pita lebar. Dibandingkan dengan semikonduktor daya silikon tradisional, ia memiliki keunggulan yang jelas. Misalnya, ia memiliki efisiensi energi yang lebih tinggi ketika bekerja pada daya tinggi, yang secara signifikan mengurangi kehilangan daya parasit. Teknologi GaN juga dapat mendesain perangkat yang lebih ringkas, memberikan aplikasi target faktor bentuk yang lebih baik. Selain itu, kecepatan switching perangkat gallium nitride adalah 10 kali dari perangkat silikon, dan pada saat yang sama, suhu operasi puncak lebih tinggi. Karakteristik material yang kuat dan kuat ini menjadikan gallium nitride sangat cocok untuk pertumbuhan otomotif, industri, telekomunikasi dan aplikasi spesifik 100V dan 650V.
Secara khusus, dibandingkan dengan teknologi silikon berdasarkan pada topologi yang sama, teknologi power gallium nitride dan gallium nitride IC akan memungkinkan STMicroelectronics untuk menyediakan pelanggan dengan solusi hemat energi yang lebih baik untuk aplikasi daya menengah hingga tinggi, termasuk kendaraan hybrid dan listrik. Pengonversi daya dan pengisi daya. Teknologi Power gallium nitride dan IC gallium nitride akan membantu mempromosikan perkembangan cepat elektrifikasi mobil penumpang dan kendaraan komersial.
Marco Monti, Presiden Otomotif dan Perangkat Diskrit, STMicroelectronics, mengatakan, "Sebagai pemimpin dalam industri semikonduktor pita lebar dan industri semikonduktor dan industri semikonduktor daya, STMicroelectronics optimis tentang percepatan pengembangan dan pengiriman teknologi proses gallium nitride, peluang yang dibawa oleh peluncuran produk-produk IC gallium nitrida dan gallium nitrida ke pasar. TSMC adalah mitra pengecoran tepercaya, dan hanya mereka yang dapat memenuhi keandalan unik dan persyaratan perencanaan pengembangan pelanggan target ST. "Proyek kolaboratif ini melengkapi kapasitas produksi kami untuk produksi power gallium nitride bekerja sama dengan CEA-Leti di pabrik di Tours, Prancis. GaN adalah inovasi besar berikutnya dalam elektronik daya dan teknologi daya pintar serta teknologi proses. "
"Kami berharap dapat bekerja sama dengan STMicroelectronics untuk menghadirkan teknologi elektronik tenaga gallium nitride ke aplikasi sistem konversi tenaga industri dan otomotif. Keahlian manufaktur gallium nitrida terkemuka di industri TSMC, dikombinasikan dengan desain produk ST dan sertifikasi tingkat otomotif akan secara signifikan meningkatkan energi efisiensi konversi tenaga industri dan otomotif, membuatnya lebih hemat energi dan ramah lingkungan, dan membantu mempercepat proses elektrifikasi mobil. "
Dilaporkan bahwa STMicroelectronics diharapkan untuk memberikan sampel pertama perangkat diskrit daya gallium nitrida kepada pelanggan utama akhir tahun ini, dan kemudian mengirimkan produk GaN IC dalam beberapa bulan.